Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы, математические модели которых встроены в программу PSpice, описываются большим количеством параметров, задаваемых с помощью директивы .MODEL. Перечень и смысл этих параметров подробно объясняются в [7]. Директиву .MODEL можно поместить в описание анализируемой схемы или в файл библиотеки, доступ к которому осуществляется с помощью директивы .LIB. Описание конкретного полупроводникового прибора содержит его имя, номера узлов подключения, имя модели и коэффициент кратности Area, с помощью которого имитируется параллельное включение нескольких одинаковых приборов.
Диод
описывается предложением
Dxxx <узел
анода>
<узел катода> <имя модели>
+ [<
коэффициент кратности Аrеа>]
Модель диода задается в виде
.MODEL
<имя модели> D[(параметры модели)}
Пример 1.
Включим между узлами 1 и
2
диод DB, параметры которого вводятся с помощью директивы .MODEL:
D1 12 D9B
.MODEL D9B D(IS=5UA RS=14 BV=2.81 IBV=5UA)
Пример 2.
Включим между узлами 1 и
2
диод D104A, параметры которого записаны в библиотечном файле d.lib
D1 1 2D104A .LIB D.LIB
Биполярный транзистор
описывается предложением
Qxxx <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера>
+ [<узел подложки>] <имя модели> [<коэффициент кратности Агеа>]
Модели биполярных транзисторов задаются в виде
.MODEL
<имя модели>
NPN
[(параметры модели)}
.MODEL
<имя модели>
PNP
[(параметры модели)}
.MODEL
<имя модели> LPNP[(napaMempbt модели)]
Статически индуцированный биполярный транзистор
описывается предложением
Zxxx <узел коллектора> <узел затвора> <узел эмиттера> + <имя модели> [АRЕА=<значение>] [WB-<значение>] + [АGD=<значение>] [КР=<значение>] [ТАU=<значение>]
Назначение необязательных параметров AREA, WB, AGD, КР и TAU указано в [7]
.
Модели статически индуцированных биполярных транзисторов задаются в виде
.MODEL
<имя модели>
NIGBT
[(параметры модели)]
Полевой транзистор
с управляющим p-n-переходом описывается предложением
Зххх<узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели> + [<коэффициент кратности Агеа>]
Модели полевых транзисторов задаются в виде
.MODEL
<имя модели>
NJF
[(параметры модели)]
.MODEL
<имя модели>
PJF
[(параметры модели)]
Арсенид-галлиевый полевой транзистор
с управляющим р-я-переходом и каналом n-типа описывается предложением
Еххх <узел стока><узел затеораХузел истока> <имя модели> + [<коэффициент кратности Агеа>]
Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде .MODEL
<имя модели>
GASFET
[(параметры модели)]
МОП-транзистор
описывается предложением
Mxxx <узел стокаХузел затеораХузел истока> <узел подложки> + <имя модели>
+ [L=<значение>] [W=<значение>] [АD=<значение>] [АS=<значение>]
+
[PD=<значение>] [PS=<значение>] [NRD=<значение>]
[NRS=<значение>]
+
[NRG=<значение>] [NRB=<значение>] [М=<значение>]
Необязательные параметры приведены в табл. 4.24.
Параметры L и W могут быть заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве .MODEL; кроме того, параметры L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые по директиве .OPTIONS (см. разд. 4.1).
Модели МОП-транзисторов задаются в виде
.MODEL
<имя модели> NMOS[(параметры модели)]
.MODEL
<имя модели> РMOS[(параметры модели)]
Таблица 4.24. Необязательные параметры модели МОП-транзистора
Обозначение |
Параметр |
Значение по умолчанию |
Размерность |
||
L |
Длина канала |
DEFL |
м |
||
W |
Ширина канала |
DEFW |
м |
||
AD |
Площадь диффузионной области стока |
DEFAD |
м |
||
AS |
Площадь диффузионной области истока |
DEFAS |
м |
||
PD |
Периметр диффузионной области стока |
0 |
м |
||
PS |
Периметр диффузионной области истока |
0 |
м |
||
NRD |
Удельное относительное сопротивление стока |
1 |
- |
||
NRS |
Удельное относительное сопротивление истока |
1 |
- |
||
Обозначение |
Параметр |
Значение по умолчанию |
Размерность |
||
NRG |
Удельное относительное сопротивление затвора |
0 |
- |
||
NRB |
Удельное относительное сопротивление подложки |
0 |
- |
||
M |
Масштабный коэффициент |
1 |
- |
||
